* 场效应晶体管 (FET)、场效应晶体管 (MOSFET)通过制造商Toshiba Semiconductor And Storage进行分类
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P 沟道 20 V 100 mA (Ta) 100mW (Ta) 表面贴装 CST3
4345
¥1.8720
-
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沟道 600 V 2A (Ta) 60W (Tc) 表面贴装 PW-MOLD
91
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N 沟道 20 V 180 mA (Ta) 100 mW (Ta) 表面贴装 CST3
23090
¥1.7490
-
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场效应晶体管阵列 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) 表面贴装 UF6
10864
¥2.2710
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沟道 30 V 24A (Ta) 表面贴装 8-TSON Advance (3.1x3.1)
13
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沟道 100 V 52A (Tc) 72W (Tc) 通孔 TO-220
91
¥8.1120
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沟道 650 V 5.2A (Ta) 60W (Tc) 通孔 IPAK
38
¥6.8270
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沟道 20 V 3 A (Ta) 500 mW (Ta) 表面贴装 UFM
7177
¥2.0390
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沟道 100 V 32A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) 表面贴装 8-SOP Advance (5x5)
20503
¥9.6350
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N 沟道 100 V 40 A (Ta) 通孔 TO-220-3
14
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沟道 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) 表面贴装 UF6
3190
¥2.5610
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沟道 800 V 6A (Ta) 45W (Tc) 通孔 TO-220SIS
7
¥10.3320
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N 沟道 30 V 20A (Tc) 1.6W (Ta), 24W (Tc) 表面贴装 8-SOP Advance (5x5)
2205
¥3.3230
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N 沟道 30 V 34A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) 表面贴装 8-SOP Advance (5x5)
12
N/A
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沟道 20 V 500mA(Ta)400mW(Ta)表面贴装 CST4(1.2x0.8)
13
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沟道 600 V 20 A (Ta) 165 W (Tc) 通孔 I2PAK
5
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-
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N 沟道 500 V 4A (Ta) 80W (Tc) 表面贴装 DPAK
104
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场效应晶体管阵列 20V 4A (Ta) 1W (Ta) 表面贴装 6-µDFN (2x2)
4375
¥2.3290
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沟道 60 V 150 mA (Ta) 500 mW (Ta) 表面贴装 CST3C
6652
¥1.6400
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射频 Mosfet 6V 10mA 500MHz 26dB USQ
9611
¥2.5100
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沟道 60 V 70 A (Ta) 45 W (Tc) 通孔 TO-220(W)
5
N/A
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MOSFET P-CH TO220NIS
11
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N 沟道 100 V 75 A (Tc) 103 W (Tc) 通孔 TO-220
38
¥8.6410
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沟道 60 V 100 A (Ta) 255 W (Tc) 通孔 TO-220
35
¥14.9460
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沟道 100 V 8A (Ta) 18W (Tc) 通孔 TO-220SIS
19
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MOSFET N-CH TO92MOD
16
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N沟道 40 V 1.8 A (Ta) 500mW (Ta) 表面贴装 ES6
9776
¥1.9810
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沟道 450 V 5.5 A (Ta) 通孔 TO-220SIS
18
¥6.8270
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沟道 30 V 21A (Ta) 1.6W (Ta), 30W (Tc) 表面贴装 8-SOP Advance (5x5)
4
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场效应晶体管阵列 20V 6A 450mW 表面贴装 8-SOP (5.5x6.0)
12
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