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SSM3J35CT,L3F
P 沟道 20 V 100 mA (Ta) 100mW (Ta) 表面贴装 CST3

1:¥1.8720

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安博睿电子元件编号
ABR278-SSM3J3-903397
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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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5000¥0.2900¥1451.1000
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号SSM3J35
25°C 时的连续漏极电流 (ID)100mA (Ta)
漏源电压 (VDS)20 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))1.2V, 4V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型P-Channel
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)12.2 pF @ 3 V
生命周期状态Active
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装方式Surface Mount
工作温度150°C
封装/箱体SC-101, SOT-883
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散100mW (Ta)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻8Ohm @ 50mA, 4V
系列π-MOSVI
封装类型(制造商)CST3
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±10V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)1V @ 1mA

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095(其他;不适用进口关税)
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