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* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号TK34E10
25°C 时的连续漏极电流 (ID)75A (Tc)
漏源电压 (VDS)100 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)38 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)2600 pF @ 50 V
生命周期状态Active
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装方式Through Hole
工作温度150°C (TJ)
封装/箱体TO-220-3
包装
Tube
最大功率耗散103W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻9.5mOhm @ 17A, 10V
系列U-MOSVIII-H
封装类型（制造商）TO-220
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）4V @ 500µA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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