N/A
订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
制造商
生命周期状态
预计交货时间
样品获取免费样品
服务
保证正品技术支持快速退款免费送货（超过960元）开具发票24/7 人工服务 库存: 12
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)
发货时间24小时内
* 数量
询价
添加到询价清单
技术规格
基本产品编号TPC8207
配置2 N-Channel (Dual)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)6A
漏源电压 (VDS)20V
场效应晶体管特性Logic Level Gate
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)22nC @ 5V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)2010pF @ 10V
生命周期状态Obsolete
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装方式Surface Mount
工作温度150°C (TJ)
封装/箱体8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
包装
Tape & Reel (TR)
功率 - 最大450mW
RDS(on) 漏极至源极导通电阻20mOhm @ 4.8A, 4V
系列-
封装类型（制造商）8-SOP (5.5x6.0)
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）1.2V @ 200µA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095（其他；不适用进口关税）
相关产品
2SC3325-Y,LF￥1.8140
双极 (BJT) 晶体管 NPN 50 V 500 mA 300MHz 200 mW 表面贴装 S-Mini
SSM3K35CT,L3F￥1.7490
N 沟道 20 V 180 mA (Ta) 100 mW (Ta) 表面贴装 CST3
