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技术规格
基本产品编号TK20C60
25°C 时的连续漏极电流 (ID)20A (Ta)
漏源电压 (VDS)600 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)48 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)1680 pF @ 300 V
生命周期状态Obsolete
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装方式Through Hole
工作温度150°C (TJ)
封装/箱体TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
包装
Tube
最大功率耗散165W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻155mOhm @ 10A, 10V
系列DTMOSIV
封装类型（制造商）I2PAK
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±30V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）3.7V @ 1mA
扩展链接
PCN Obsolescence/ EOL
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 2011/65/EU 指令
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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