图片仅供参考,以实物为准。
TPCA8023-H(TE12LQM
沟道 30 V 21A (Ta) 1.6W (Ta), 30W (Tc) 表面贴装 8-SOP Advance (5x5)

N/A

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR278-TPCA80-935379
生命周期状态
Obsolete
预计交货时间
-
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 4
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)
发货时间24小时内
* 数量
询价
添加到询价清单
技术规格
基本产品编号TPCA8023
25°C 时的连续漏极电流 (ID)21A (Ta)
漏源电压 (VDS)30 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)21 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)2150 pF @ 10 V
生命周期状态Obsolete
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装方式Surface Mount
工作温度150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerVDFN
包装
Tape & Reel (TR)
最大功率耗散1.6W (Ta), 30W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻12.9mOhm @ 11A, 10V
系列-
封装类型(制造商)8-SOP Advance (5x5)
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2.5V @ 1mA

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
环境及出口分类
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
相关产品
2SC3325-Y,LF¥1.8140
双极 (BJT) 晶体管 NPN 50 V 500 mA 300MHz 200 mW 表面贴装 S-Mini
SSM3J35CT,L3F¥1.8720
P 沟道 20 V 100 mA (Ta) 100mW (Ta) 表面贴装 CST3
SSM3K35CT,L3F¥1.7490
N 沟道 20 V 180 mA (Ta) 100 mW (Ta) 表面贴装 CST3
SSM6N62TU,LF¥2.2710
场效应晶体管阵列 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) 表面贴装 UF6
沟道 30 V 24A (Ta) 表面贴装 8-TSON Advance (3.1x3.1)