* 分立半导体器件通过制造商Epc Efficient Power Conversion进行分类
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GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
10282
¥13.1900
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N 沟道 40 V 31 A (Ta) 表面贴装芯片
15
N/A
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GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
1019
¥53.9950
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N 沟道 80 V 1.7 A (Ta) 表面贴装芯片
54523
¥5.3690
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N 沟道 200 V 8.5 A (Ta) 表面贴装芯片
63612
¥15.9330
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沟道 65 V 2A (Ta) 表面贴装芯片
36717
¥13.4810
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N 沟道 40 V 16 A (Ta) 表面贴装芯片
7
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-
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GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
18
N/A
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沟道 100 V 8.2 A (Ta) 表面贴装芯片
93908
¥8.8730
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GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
42743
¥10.7960
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场效应晶体管阵列 100V 1.7A,500mA 表面贴装 9-BGA (1.35x1.35)
3723
¥8.2930
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N 沟道 40 V 31 A (Ta) 表面贴装芯片
2105
¥42.4950
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沟道 40 V 53 A (Ta) 表面贴装芯片
13313
¥20.0830
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N 沟道 40 V 4A (Ta) 表面贴装芯片
4919
¥18.6180
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沟道 100 V 48 A (Ta) 表面贴装芯片
16968
¥38.2950
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N 沟道 15 V 3.4A (Ta) 表面贴装芯片
26959
¥5.7250
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沟道 60 V 90 A (Ta) 表面贴装芯片
1623
¥47.9810
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GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
3
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GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
6
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沟道 200 V 3A (Ta) 表面贴装芯片
11
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N 沟道 150 V 12 A (Ta) 表面贴装芯片
10
N/A
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场效应晶体管阵列 60V,100V 1.7A,500mA 表面贴装 9-BGA(1.35x1.35)
681
¥10.2740
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沟道 300 V 4A (Ta) 表面贴装芯片
12
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-
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N 沟道 100 V 18 A (Ta) 表面贴装芯片
69681
¥15.1130
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沟道 60 V 31 A (Ta) 表面贴装芯片
14
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沟道 80 V 6.8 A (Ta) 表面贴装芯片
30996
¥9.2220
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场效应晶体管阵列 30V 10A (Ta)、40A (Ta) 表面贴装芯片
7
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N 沟道 80 V 48 A (Ta) 表面贴装芯片
31932
¥35.7840
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GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
4188
¥56.8540
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GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
4054
¥38.2950
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