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EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

1:¥10.7960

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安博睿电子元件编号
ABR289-EPC210-1088144
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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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100¥7.1320¥713.2160
500¥6.0290¥3014.6600
1000¥5.1150¥5115.1270
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号EPC210
配置2 N-Channel (Half Bridge)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)1.7A
漏源电压 (VDS)100V
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)0.73nC @ 5V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)75pF @ 50V
生命周期状态Active
制造商EPC
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体Die
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大-
RDS(on) 漏极至源极导通电阻70mOhm @ 2A, 5V
系列eGaN®
封装类型(制造商)Die
技术GaNFET (Gallium Nitride)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2.5V @ 600µA

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0040(未安装的芯片、骰子和晶圆;不征收进口税)
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