图片仅供参考,以实物为准。
EPC2203
N 沟道 80 V 1.7 A (Ta) 表面贴装芯片

1:¥5.3690

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR278-EPC220-942140
生命周期状态
Active
预计交货时间
16 周
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 54523
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
发货时间24小时内
* 数量
单价¥5.3690
总价¥5.3690
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税,所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
1¥5.3690¥5.3690
10¥4.3820¥43.8230
100¥3.4030¥340.2830
500¥2.8880¥1443.8440
1000¥2.3510¥2350.7820
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)1.7A (Ta)
漏源电压 (VDS)80 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))5V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)0.83 nC @ 5 V
年级Automotive
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)88 pF @ 50 V
生命周期状态Active
制造商EPC
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体Die
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散-
资格AEC-Q101
RDS(on) 漏极至源极导通电阻80mOhm @ 1A, 5V
系列eGaN®
封装类型(制造商)Die
技术GaNFET (Gallium Nitride)
栅极-源极电压 (Vɢs)+5.75V, -4V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2.5V @ 600µA

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0040(未安装的芯片、骰子和晶圆;不征收进口税)
相关产品
EPC2007C¥13.1900
沟道 100 V 6A (Ta) 表面贴装芯片
EPC2019¥15.9330
N 沟道 200 V 8.5 A (Ta) 表面贴装芯片
N 沟道 40 V 31 A (Ta) 表面贴装芯片
EPC2105¥53.9950
场效应晶体管阵列 80V 9.5A,38A 表面贴装芯片
EPC8002¥13.4810
沟道 65 V 2A (Ta) 表面贴装芯片