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EPC2105
GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE

1:¥53.9950

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ABR289-EPC210-928468
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技术规格
基本产品编号EPC210
配置2 N-Channel (Half Bridge)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)9.5A, 38A
漏源电压 (VDS)80V
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
生命周期状态Active
制造商EPC
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体Die
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大-
RDS(on) 漏极至源极导通电阻14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
系列eGaN®
封装类型(制造商)Die
技术GaNFET (Gallium Nitride)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
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