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* 分立半导体器件通过制造商Harris Corporation进行分类
二极管152个
桥式整流器
(2个)
整流器
(150个)
零件编号描述库存单价产品规格书操作
RFD16N05
N 沟道 50 V 16 A (Tc) 72 W (Tc) 通孔 IPAK
9759
￥5.1800
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TIP42C
双极 (BJT) 晶体管 PNP 100 V 6 A 3MHz 2 W 通孔 TO-220-3
634
￥1.8650
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MUR1610CT
二极管阵列 1 对共阴极 100 V 8A 通孔 TO-220-3
1191
￥4.0920
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RFP15P05
沟道 50 V 15 A (Tc) 80 W (Tc) 通孔 TO-220-3
63596
N/A
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TIP32C
双极 (BJT) 晶体管 PNP 100 V 3 A 3MHz 2 W 通孔 TO-220-3
790
N/A
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RFP50N06
沟道 60 V 50 A (Tc) 131 W (Tc) 通孔 TO-220-3
2179
N/A
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HGTG12N60C3D
IGBT 600 V 24 A 104 W 通孔 TO-247
210
N/A
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RFP15N05L
沟道 50 V 15 A (Tc) 60 W (Tc) 通孔 TO-220-3
282
N/A
询价
IRFD123
沟道 100 V 1.3A (Ta) 通孔 4-HVMDIP
28263
N/A
询价
IRF630
沟道 200 V 9A (Tc) 通孔 TO-220AB
15910
N/A
询价
BUZ21
N 沟道 100 V 21 A (Tc) 通孔 TO-220AB
30503
N/A
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RF1K4909096
RF1K4909096 - 电源场效应
3150
N/A
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RF1S22N10
N沟道功率MOSFET
1393
N/A
-
询价
HGTP15N50C1
IGBT 500 V 15 A 75 W 通孔 TO-220
5861
N/A
询价
D40V1
双极 (BJT) 晶体管 NPN 250 V 100 mA 1.7 W 通孔 TO-202AB
2648
N/A
询价
RURD3090
整流二极管，30A，900V
83
N/A
-
询价
IRF523
沟道 80 V 8A (Tc) 60W (Tc) 通孔 TO-220
1825
N/A
询价
IGTM10N40
N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
499
N/A
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RFH30N15
沟道 150 V 30A (Tc) 150W (Tc) 通孔 TO-218 隔离
991
N/A
询价
IGTM10N50A
N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
338
N/A
询价
RF1S45N06LE
沟道 60 V 45 A (Tc) 142 W (Tc) 通孔 TO-262 (I2PAK)
1071
N/A
询价
HGTD3N60B3S9A
IGBT 600 V 7 A 33.3 W 表面贴装 TO-252 (DPAK)
1750
N/A
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HGT1S12N60B3S
IGBT 600V 27A 104W 表面贴装 TO-263 (D2PAK)
1120
N/A
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RFIS70N06SM
MOSFET N 沟道 60V 70A
700
N/A
-
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HGTH20N50EID
20A，500V，N 通道 IGBT，带
1003
N/A
-
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JANSR2N7292
沟道 100 V 25 A (Tc) 125 W (Tc) 通孔 TO-254AA
18
N/A
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RHRG5070
DIODE AVALANCHE 700V 50A TO247
3082
N/A
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A315B
DIODE GEN PURP 200V 3A AL-4
2058
N/A
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2N3053
双极 (BJT) 晶体管 NPN 40 V 700 mA 5 W 通孔 TO-5
4459
N/A
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RHRP1580
DIODE AVALANCHE 800V 15A TO220AC
1432
N/A
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