图片仅供参考,以实物为准。
TIP32C
双极 (BJT) 晶体管 PNP 100 V 3 A 3MHz 2 W 通孔 TO-220-3

N/A

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR276-TIP32C-1096860
生命周期状态
Obsolete
预计交货时间
-
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 790
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tube
发货时间24小时内
* 数量
询价
添加到询价清单
技术规格
集电极电流 (Iᴄ)@25°C3 A
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)(最大值)300µA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce10 @ 3A, 4V
频率 - 过渡3MHz
生命周期状态Obsolete
制造商Harris Corporation
安装方式Through Hole
工作温度-65°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-220-3
包装
Tube
功率 - 最大2 W
系列-
封装类型(制造商)TO-220-3
晶体管类型PNP
Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic1.2V @ 375mA, 3A
集电极-发射极击穿电压(最大值)100 V

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性不符合 RoHS 规定,无法进入欧盟市场
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
相关产品
IGBT 600 V 24 A 104 W 通孔 TO-247
RFD16N05¥5.1800
N 沟道 50 V 16 A (Tc) 72 W (Tc) 通孔 IPAK
沟道 50 V 15 A (Tc) 80 W (Tc) 通孔 TO-220-3
沟道 60 V 50 A (Tc) 131 W (Tc) 通孔 TO-220-3
TIP42C¥1.8650
双极 (BJT) 晶体管 PNP 100 V 6 A 3MHz 2 W 通孔 TO-220-3