1:￥5.1800
订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
制造商
生命周期状态
预计交货时间
样品获取免费样品
服务
保证正品技术支持快速退款免费送货（超过960元）开具发票24/7 人工服务 库存: 9759
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tube
发货时间24小时内
* 数量
单价￥5.1800
总价￥5.1800
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税，所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
300￥5.1800￥1554.1280
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)16A (Tc)
漏源电压 (VDS)50 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)80 nC @ 20 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)900 pF @ 25 V
生命周期状态Obsolete
制造商Harris Corporation
安装方式Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
封装/箱体TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
包装
Tube
最大功率耗散72W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻47mOhm @ 16A, 10V
系列-
封装类型（制造商）IPAK
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）4V @ 250µA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性不符合 RoHS 规定，无法进入欧盟市场
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
相关产品
