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技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)30A (Tc)
漏源电压 (VDS)150 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)3000 pF @ 25 V
生命周期状态Active
制造商Harris Corporation
安装方式Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
包装
Bulk
最大功率耗散150W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻75mOhm @ 15A, 10V
系列-
封装类型（制造商）TO-218 Isolated
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）4V @ 1mA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性不符合 RoHS 规定，无法进入欧盟市场
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规等待供应商确认
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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