* 分立半导体器件通过制造商Genesic Semiconductor进行分类
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800V 30A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
50
¥5.6380
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400V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
70
¥8.3220
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DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
762
¥60.3080
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二极管阵列 1 对共阴极 600 V 30 A (DC) 通孔 TO-247-3
430
¥57.1440
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二极管阵列 1 对串联 1400 V 300A 底盘安装模块
99
¥804.5120
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N 沟道 1200 V 71A (Tc) 333W (Tc) 通孔 TO-247-4
1995
¥103.1510
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750V 60M TO-247-3 G3R 碳化硅 MOSFET
2007
¥59.1900
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400V 6A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
42
¥3.3960
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100V 15A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
47
¥3.9620
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DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
1838
¥27.4980
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DIODE MODULE GP 1KV 100A 3TOWER
142
¥438.6820
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DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
122
¥497.1540
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二极管阵列 1 对串联 1200 V 200A 底盘安装模块
126
¥738.6030
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DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
8
N/A
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DIODE MODULE GP 800V 150A 3TOWER
39
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二极管阵列 1 对串联连接 600 V 300A 底盘安装模块
31
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1189
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68
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524
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116
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5345
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135
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44
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66
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100V 6A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
41
¥3.3960
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