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GD10MPS12H
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

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2500¥18.3270¥45818.4820
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
总电容@Vʀ, f-
平均整流正向电流 (Iᴏ)10A
生命周期状态Active
制造商GeneSiC Semiconductor
安装方式Through Hole
结温范围175°C
封装/箱体TO-247-2
包装
Tube
反向恢复时间 (trr)0 ns
系列SiC Schottky MPS™
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
封装类型(制造商)TO-247-2
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
最大直流阻断电压 (Vʀ)1200 V

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Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.10.0080(其他;不适用进口关税)
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