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10￥53.7050￥537.0520
25￥51.6660￥1291.6600
100￥48.7420￥4874.2450
250￥46.8780￥11719.4460
500￥45.5280￥22764.1310
1000￥44.2510￥44251.2940
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)-
漏源电压 (VDS)750 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))-
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型-
生命周期状态Active
制造商GeneSiC Semiconductor
安装方式Through Hole
工作温度-
封装/箱体TO-247-3
包装
Tube
最大功率耗散-
RDS(on) 漏极至源极导通电阻-
系列G3R™
封装类型（制造商）TO-247-3
技术SiCFET (Silicon Carbide)
栅极-源极电压 (Vɢs)+20V, -10V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）-
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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