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CAB530M12BM3
Mosfet 阵列 1200V (1.2kV) 530A 底盘安装模块

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技术规格
基本产品编号CAB530
配置2 N-Channel
25°C 时的连续漏极电流 (ID)530A
漏源电压 (VDS)1200V (1.2kV)
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)1362nC @ 4V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)39600pF @ 800V
生命周期状态Active
制造商Wolfspeed, Inc.
安装方式Chassis Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体Module
包装
Tray
功率 - 最大-
RDS(on) 漏极至源极导通电阻3.55mOhm @ 530A, 15V
系列-
封装类型(制造商)Module
技术Silicon Carbide (SiC)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)3.6V @ 140mA

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Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性不符合 RoHS 规定,无法进入欧盟市场
MSL 级别不要求
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
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