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技术规格
基本产品编号CAB008
配置2 N-Channel (Half Bridge)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)182A (Tj)
漏源电压 (VDS)1200V (1.2kV)
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)472nC @ 15V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)13600pF @ 800V
生命周期状态Active
制造商Wolfspeed, Inc.
安装方式Chassis Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体Module
包装
Tray
功率 - 最大-
RDS(on) 漏极至源极导通电阻10.4mOhm @ 150A, 15V
系列-
封装类型（制造商）-
技术Silicon Carbide (SiC)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）3.6V @ 46mA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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