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技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)47A (Tc)
漏源电压 (VDS)650 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))15V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)61 nC @ 15 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)1621 pF @ 400 V
生命周期状态Active
制造商Wolfspeed, Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
包装
Tube
最大功率耗散147W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻60mOhm @ 17.6A, 15V
系列C3M™
封装类型（制造商）TO-263-7
技术SiCFET (Silicon Carbide)
栅极-源极电压 (Vɢs)+19V, -8V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）3.6V @ 4.84mA
扩展链接
Datasheets
PCN Design/Specification
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规根据要求提供 REACH 详细信息
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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