图片仅供参考,以实物为准。
IS43TR16128C-125KBLI
SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gbit 并行 800 MHz 20 ns 96-TWBGA(9x13)

1:¥36.6400

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR774-IS43TR-906167
生命周期状态
Active
预计交货时间
8 周
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 35
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tray
发货时间24小时内
* 数量
单价¥36.6400
总价¥36.6400
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税,所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
190¥36.6400¥6961.6520
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
访问时间20 ns
基本产品编号IS43TR16128
时钟频率800 MHz
生命周期状态Active
内存格式DRAM
内存接口Parallel
记忆组织128M x 16
内存大小2Gbit
内存类型Volatile
制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 95°C (TC)
封装/箱体96-TFBGA
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
封装类型(制造商)96-TWBGA (9x13)
技术SDRAM - DDR3
电源电压1.425V ~ 1.575V
写入周期 (Twc)15ns

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0036(超过 1 千兆位;不征收进口税)
相关产品
FLASH - NOR 存储器 IC 32Mbit SPI - 四路 I/O,QPI,DTR 133 MHz 8-SOIC
SDRAM 存储器 IC 256Mbit 并行 166 MHz 5.4 ns 86-TSOP II
SDRAM 存储器 IC 256Mbit 并行 143 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gbit 并行 400 MHz 400 ps 84-TWBGA(8x12.5)
PSRAM(伪 SRAM)存储器 IC 32Mbit 并行 70 ns 48-TFBGA(6x8)