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Tray
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技术规格
访问时间70 ns
基本产品编号IS66WVE2M16
生命周期状态Obsolete
内存格式PSRAM
内存接口Parallel
记忆组织2M x 16
内存大小32Mbit
内存类型Volatile
制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
封装/箱体48-TFBGA
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
封装类型（制造商）48-TFBGA (6x8)
技术PSRAM (Pseudo SRAM)
电源电压2.7V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)70ns
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0041（静态读写随机存取存储器（SRAM）；不征收进口税）
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