图片仅供参考,以实物为准。
IS42S32800D-6TLI
SDRAM 存储器 IC 256Mbit 并行 166 MHz 5.4 ns 86-TSOP II

N/A

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR774-IS42S3-903007
生命周期状态
Obsolete
预计交货时间
-
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 20
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tray
发货时间24小时内
* 数量
询价
添加到询价清单
技术规格
访问时间5.4 ns
基本产品编号IS42S32800
时钟频率166 MHz
生命周期状态Obsolete
内存格式DRAM
内存接口Parallel
记忆组织8M x 32
内存大小256Mbit
内存类型Volatile
制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
封装/箱体86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
封装类型(制造商)86-TSOP II
技术SDRAM
电源电压3V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)-

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
Part Numbering Guide
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0024(超过 128 兆比特但不超过 256 兆比特;不征收进口税)
相关产品
FLASH - NOR 存储器 IC 32Mbit SPI - 四路 I/O,QPI,DTR 133 MHz 8-SOIC
SDRAM 存储器 IC 128Mbit 并行 166 MHz 5.4 ns 54-TFBGA(8x8)
SDRAM 存储器 IC 256Mbit 并行 143 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gbit 并行 400 MHz 400 ps 84-TWBGA(8x12.5)
PSRAM(伪 SRAM)存储器 IC 32Mbit 并行 70 ns 48-TFBGA(6x8)