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技术规格
访问时间700 ps
基本产品编号IS43R83200
时钟频率166 MHz
生命周期状态NRND(Not Recommended for New Designs)
内存格式DRAM
内存接口Parallel
记忆组织32M x 8
内存大小256Mbit
内存类型Volatile
制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
封装/箱体66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
封装类型（制造商）66-TSOP II
技术SDRAM - DDR
电源电压2.3V ~ 2.7V
写入周期 (Twc)15ns
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0024（超过 128 兆比特但不超过 256 兆比特；不征收进口税）
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