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G10N10A
沟道 100 V 10 A (Tc) 28 W (Tc) 表面贴装 TO-252

1:¥3.3810

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ABR278-G10N10-2134817
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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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1000¥1.2620¥1262.4570
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)10A (Tc)
漏源电压 (VDS)100 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)90 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)690 pF @ 25 V
生命周期状态Active
制造商Goford Semiconductor
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散28W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻130mOhm @ 2A, 10V
系列TrenchFET®
封装类型(制造商)TO-252
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)3V @ 250µA

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Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
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