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GT110N06S
沟道 60 V 14 A (Tc) 3 W (Tc) 表面贴装 8-SOP

1:¥4.2590

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ABR278-GT110N-2100093
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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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2000¥1.6110¥3221.4420
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)14A (Tc)
漏源电压 (VDS)60 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)24 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)1300 pF @ 25 V
生命周期状态Active
制造商Goford Semiconductor
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散3W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻11mOhm @ 14A, 10V
系列SGT
封装类型(制造商)8-SOP
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2.4V @ 250µA

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Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
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