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GT090N06D52
场效应晶体管阵列 60V 40A (Tc) 62W (Tc) 表面贴装 8-DFN (4.9x5.75)

1:¥6.6530

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安博睿电子元件编号
ABR289-GT090N-2095820
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2000¥2.7640¥5528.6910
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号GT090N06
配置2 N-Channel (Dual)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)40A (Tc)
漏源电压 (VDS)60V
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)24nC @ 10V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)1011pF @ 30V
生命周期状态Active
制造商Goford Semiconductor
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerTDFN
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大62W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻14mOhm @ 14A, 10V
系列SGT
封装类型(制造商)8-DFN (4.9x5.75)
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2.5V @ 250µA

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Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
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