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8000￥0.6970￥5572.2240
12000￥0.6310￥7574.7420
28000￥0.6240￥17471.2440
100000￥0.5800￥58044.0000
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)7A (Tc)
漏源电压 (VDS)100 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)11 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)612 pF @ 50 V
生命周期状态Active
制造商Goford Semiconductor
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
包装
Tape & Reel (TR)
最大功率耗散28W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻110mOhm @ 1A, 10V
系列-
封装类型（制造商）8-SOP
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）3V @ 250µA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 2011/65/EU 指令
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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