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CGD65B240SH2
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.

1:¥31.3730

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ABR278-CGD65B-2885887
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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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500¥12.4290¥6214.3360
1000¥11.7180¥11717.6320
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)7A
漏源电压 (VDS)650 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))12V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
年级-
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerVDFN
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散-
资格-
系列ICeGaN™
封装类型(制造商)8-DFN (5x6)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
栅极-源极电压 (Vɢs)+20V, -1V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)4.2V @ 2.3mA
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)1.2 nC @ 12 V
RDS(on) 漏极至源极导通电阻336mOhm @ 500mA, 12V

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Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表8541.29.0075(工作频率不低于30 MHz;免征进口税)
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
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