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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)8.5A (Tc)
漏源电压 (VDS)650 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))9V, 20V
场效应晶体管特性Current Sensing
场效应晶体管类型-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)1.4 nC @ 12 V
生命周期状态Active
制造商Cambridge GaN Devices
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerVDFN
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
RDS(on) 漏极至源极导通电阻280mOhm @ 600mA, 12V
系列ICeGaN™
封装类型（制造商）8-DFN (5x6)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
栅极-源极电压 (Vɢs)+20V, -1V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）4.2V @ 2.75mA
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Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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