* 晶体管通过制造商Vishay General Semiconductor Diodes Division进行分类
零件编号描述库存单价产品规格书操作
IGBT 模块半桥 1200 V 300 A 1008 W 底盘安装双 INT-A-PAK
17
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-
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IGBT 模块半桥 1200 V 200 A 650 W 底盘安装 INT-A-PAK
4
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IGBT 模块 PT,沟槽单 600 V 380 A 893 W 底盘安装 SOT-227
4
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-
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IGBT 模块沟槽式三电平逆变器 1200 V 61 A 216 W 底盘安装 EMIPAK-1B
145
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N 沟道 500 V 38 A (Tc) 500 W (Tc) 底盘安装 SOT-227
12
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双极 (BJT) 晶体管 NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW 通孔 TO-92-3
15
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IGBT 模块沟槽单开关 650 V 167 A 577 W 底盘安装 SOT-227
13
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IGBT 模块半桥 600 V 480 A 830 W 底盘安装 INT-A-PAK
10
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IGBT 模块 NPT 半桥逆变器 650 V 201 A 600 W 模块
5
¥404.2470
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IGBT 模块单 600 V 107 A 403 W 通孔 MTP
14
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IGBT 模块三相逆变器 600 V 7.2 A 23 W 通孔 IMS-2
112
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IGBT 模块半桥 1200 V 330 A 1316 W 底盘安装双 INT-A-PAK
4
N/A
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IGBT 模块 NPT 全桥逆变器 1200 V 20 A 240 W 底盘安装 MTP
20
N/A
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IGBT 模块半桥 600 V 750 A 1563 W 底盘安装双 INT-A-PAK
14
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IGBT 模块 PT 半桥 600 V 220 A 780 W 底盘安装 INT-A-PAK
11
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IGBT 模块 NPT 单 600 V 109 A 447 W 底盘安装 SOT-227
14
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IGBT 模块三相逆变器 600 V 5.7 A 23 W 通孔 IMS-2
83
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IGBT 模块半桥 1200 V 182 A 520 W 底盘安装 INT-A-PAK
17
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IGBT 模块双降压斩波器 600 V 138 A 543 W 底盘安装 12-MTP 压接
20
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IGBT 模块半桥 1200 V 500 A 1645 W 底盘安装双 INT-A-PAK
20
N/A
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IGBT 模块沟槽单 1200 V 288 A 1087 W 底盘安装 SOT-227
11
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IGBT 模块沟槽式三电平逆变器 600 V 100 A 294 W 底盘安装 EMIPAK-2B
11
¥492.8880
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IGBT 模块全桥逆变器 600 V 69 A 195 W 底盘安装 MTP
5
N/A
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IGBT 模块半桥 600 V 530 A 1136 W 底盘安装双 INT-A-PAK
7
N/A
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N 沟道 100 V 435 A (Tc) 652 W (Tc) 底盘安装 SOT-227
1169
¥135.9610
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IGBT 模块单 600 V 100 A 445 W 底盘安装 10-MTP
18
N/A
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IGBT 模块双降压斩波器 600 V 138 A 543 W 底盘安装 12-MTP 压接
8
N/A
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IGBT 模块 NPT 单 1200 V 149 A 862 W 底盘安装 SOT-227
3
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N 沟道 100 V 180 A (Tc) 480 W (Tc) 底盘安装 SOT-227
9
N/A
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MOD IGBT 20A 500V MTP
85
N/A
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