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* 晶体管通过制造商Sanken Electric Usa Inc进行分类
零件编号描述库存单价产品规格书操作
FGF65A4L
IGBT 沟槽场截止 650 V 65 A 72 W 通孔 TO-3PF
15
N/A
询价
FKV660S
N 沟道 60 V 60 A (Ta) 60 W (Tc) 表面贴装 TO-220S
48
N/A
询价
MGF65A6H
IGBT 沟槽场截止 650 V 80 A 405 W 通孔 TO-3P-3L
143
N/A
询价
2SD2633
双极 (BJT) 晶体管 NPN 150 V 8 A 2 W 通孔 TO-220F
118
￥8.0030
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MGF65A4L
IGBT 沟槽场截止 650 V 65 A 288 W 通孔 TO-3P-3L
78
N/A
询价
KGF65A6H
IGBT 沟槽场截止 650 V 80 A 405 W 通孔 TO-247-3
127
N/A
询价
SMA5135
场效应晶体管阵列 60V 6A (Ta) 4W (Ta), 29W (Tc) 通孔 12-SIP
89
￥24.9950
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MN611S
双极 (BJT) 晶体管 NPN 115 V 6 A 1.2 W 表面贴装 TO-220S
20
N/A
-
询价
SMA5113
场效应晶体管阵列 450V 7A (Ta) 4W (Ta), 35W (Tc) 通孔 12-SIP
60
￥53.1610
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KGF65A4H
IGBT 沟槽场截止 650 V 65 A 288 W 通孔 TO-247-3
94
N/A
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2SK4161D
N 沟道 60 V 100 A (Tc) 132 W (Tc) 通孔 TO-3P
129
￥14.7000
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STA315A
双极 (BJT) 晶体管阵列 3 NPN 达林顿（发射极耦合）36V 2A 3W 通孔 8-SIP
11
N/A
-
询价
SPF0001
双极 (BJT) 晶体管阵列 2 NPN 125V 6A 2.5W 表面贴装 20-HSOP
106
N/A
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2SD2382
双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 65 V 6 A 30 W 通孔 TO-220F
19
N/A
-
询价
MGF65A4H
IGBT 沟槽场截止 650 V 65 A 288 W 通孔 TO-3P
36
N/A
询价
STA461C
双极 (BJT) 晶体管阵列 2 NPN 70V 6A 3.2W 通孔 10-SIP
114
￥19.6770
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FKV460S
N 沟道 40 V 60 A (Ta) 60 W (Tc) 表面贴装 TO-220S
83
￥12.1530
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KGF65A3H
IGBT 沟槽场截止 650 V 50 A 217 W 通孔 TO-247-3
135
N/A
询价
MLD685D
N 沟道 60 V 85 A 150 W (Tc) 通孔 TO-3P
133
￥16.6730
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STA509A
场效应晶体管阵列 57V 3A (Ta) 4W (Ta), 20W (Tc) 通孔 10-SIP
16
N/A
询价
EKG1020
N 沟道 100 V 20 A (Ta) 55 W (Tc) 通孔 TO-220-3
145
N/A
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AOD2146
N 沟道 40 V 34.5A (Ta), 54A (Tc) 6.2W (Ta), 100W (Tc) 表面贴装 TO-252
71
￥3.5910
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MGD622
IGBT 沟槽 600 V 40 A 90 W 通孔 TO-3P-3L
125
N/A
询价
KGF65A6L
IGBT 沟槽场截止 650 V 80 A 405 W 通孔 TO-247-3
144
N/A
询价
FGM633
IGBT 沟槽晶体管 600 V 30 A 60 W 通孔 TO-3PF
141
N/A
询价
MGF65A3L
IGBT 沟槽场截止 650 V 50 A 217 W 通孔 TO-3P-3L
84
N/A
询价
DGG4015A
IGBT 425 V 15 A 55 W 表面贴装 TO-252
31
N/A
询价
FKG1020
N 沟道 100 V 20 A (Ta) 40 W (Tc) 通孔 TO-220F
131
N/A
询价
DKG1020
沟道 100 V 20 A (Ta) 40 W (Tc) 表面贴装 TO-252
54
￥6.2250
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DGG4015
IGBT 425 V 15 A 55 W 表面贴装 TO-252
11
N/A
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