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技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)20A (Ta)
漏源电压 (VDS)100 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)47 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)2200 pF @ 10 V
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度150°C
封装/箱体TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
包装
Tape & Reel (TR)
最大功率耗散40W (Tc)
系列-
封装类型（制造商）TO-252
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）2.5V @ 1mA
RDS(on) 漏极至源极导通电阻4.7mOhm @ 42A, 10V
基本产品编号DKG10
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 2011/65/EU 指令
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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