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5000￥8.9240￥44621.3250
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号TTC0002
集电极电流 (Iᴄ)@25°C18 A
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)（最大值）1µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce80 @ 1A, 5V
频率 - 过渡30MHz
生命周期状态Active
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装方式Through Hole
工作温度150°C (TJ)
封装/箱体TO-3PL
包装
Bulk
功率 - 最大180 W
系列-
封装类型（制造商）TO-3P(L)
晶体管类型NPN
Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic2V @ 900mA, 9A
集电极-发射极击穿电压（最大值）160 V
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 2011/65/EU 指令
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表8541.29.0075（工作频率不低于30 MHz；免征进口税）
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