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100￥17.2970￥1729.7110
250￥16.3390￥4084.8460
500￥15.3740￥7687.2020
1250￥13.1690￥16460.9160
2500￥12.4000￥30999.1240
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号TRS10E65
总电容@Vʀ, f36pF @ 650V, 1MHz
平均整流正向电流 (Iᴏ)10A
反向漏电流@额定Vʀ50 µA @ 650 V
生命周期状态Active
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装方式Through Hole
结温范围175°C (Max)
封装/箱体TO-220-2
包装
Tube
反向恢复时间 (trr)0 ns
系列-
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
封装类型（制造商）TO-220-2L
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
最大直流阻断电压 (Vʀ)650 V
正向电压 (Vғ) @ Iғ1.6 V @ 10 A
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 2011/65/EU 指令
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.10.0080（其他；不适用进口关税）
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