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技术规格
基本产品编号RN1910
集电极电流 (Iᴄ)@25°C100mA
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)（最大值）100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V
频率 - 过渡250MHz
年级Automotive
生命周期状态Active
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装方式Surface Mount
封装/箱体SOT-563, SOT-666
包装
Tape & Reel (TR)
功率 - 最大100mW
资格AEC-Q101
电阻器-基极（R1）4.7kOhms
电阻器 - 发射极基极（R2）-
系列-
封装类型（制造商）ES6
晶体管类型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
集电极-发射极击穿电压（最大值）50V
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095（其他；不适用进口关税）
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