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技术规格
基本产品编号2SA965
集电极电流 (Iᴄ)@25°C800 mA
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)（最大值）100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 5V
频率 - 过渡120MHz
生命周期状态Obsolete
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
安装方式Through Hole
工作温度150°C (TJ)
封装/箱体TO-226-3, TO-92-3 Long Body
包装
Bulk
功率 - 最大900 mW
系列-
封装类型（制造商）TO-92MOD
晶体管类型PNP
Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
集电极-发射极击穿电压（最大值）120 V
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0075（工作频率不低于100MHz；免征进口税）
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