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技术规格
基本产品编号HYB25D512
时钟频率200 MHz
生命周期状态Obsolescence Review In Progress
内存格式DRAM
内存接口Parallel
记忆组织64M x 8
内存大小512Mbit
内存类型Volatile
制造商Qimonda
安装方式Surface Mount
工作温度0°C ~ 70°C (TA)
封装/箱体66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
参数编程Supported
系列-
封装类型（制造商）66-TSOP II
技术SDRAM - DDR
电源电压2.3V ~ 2.7V
写入周期 (Twc)-
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0036（超过 1 千兆位；不征收进口税）
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