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技术规格
基本产品编号HYB18T1G
时钟频率333 MHz
生命周期状态Obsolescence Review In Progress
内存格式DRAM
内存接口Parallel
记忆组织128M x 8
内存大小1Gbit
内存类型Volatile
制造商Qimonda
安装方式Surface Mount
工作温度0°C ~ 95°C (TC)
封装/箱体68-TFBGA
包装
Cut Tape (CT)
参数编程Supported
系列-
技术SDRAM - DDR2
电源电压1.7V ~ 1.9V
写入周期 (Twc)-
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0036（超过 1 千兆位；不征收进口税）
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