图片仅供参考,以实物为准。
NSTB1002DXV5T1G
预偏置双极晶体管 (BJT) 1 NPN 预偏置,1 PNP 50V、40V 100mA、200mA 250MHz 500mW 表面贴装 SOT-553

1:¥2.4520

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR293-NSTB10-968819
生命周期状态
Active
预计交货时间
6 周
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 127
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
发货时间24小时内
* 数量
单价¥2.4520
总价¥2.4520
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税,所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
1¥2.4520¥2.4520
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号NSTB1002
集电极电流 (Iᴄ)@25°C100mA, 200mA
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)(最大值)500nA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
频率 - 过渡250MHz
生命周期状态Active
制造商onsemi
安装方式Surface Mount
封装/箱体SOT-553
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大500mW
电阻器-基极(R1)47kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)47kOhms
系列-
封装类型(制造商)SOT-553
晶体管类型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
集电极-发射极击穿电压(最大值)50V, 40V

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0075(工作频率不低于100MHz;免征进口税)
相关产品
沟道 200 V 250 mA(Ta)350 mW(Ta)通孔 TO-92(TO-226)
双极 (BJT) 晶体管 NPN 700 V 15 A 23MHz 150 W 通孔 TO-220
沟道 55 V 75A (Tc) 175W (Tc) 表面贴装 TO-263 (D2PAK)
N 沟道 150 V 43 A (Tc) 230 W (Tc) 表面贴装 TO-263 (D2PAK)
场效应晶体管阵列 20V 6.6A 1.42W 表面贴装 8-TSSOP