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技术规格
基本产品编号HUFA75
25°C 时的连续漏极电流 (ID)43A (Tc)
漏源电压 (VDS)150 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)175 nC @ 20 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)2730 pF @ 25 V
生命周期状态Obsolete
制造商onsemi
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
封装/箱体TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
包装
Tube
最大功率耗散230W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻42mOhm @ 43A, 10V
系列UltraFET™
封装类型（制造商）TO-263 (D2PAK)
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）4V @ 250µA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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