NSM21356DW6T1G 安森美 Onsemi

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NSM21356DW6T1G

预偏置双极晶体管 (BJT) 1 NPN 预偏置，1 PNP 50V、65V 100mA 230mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363

N/A

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安博睿电子元件编号

ABR293-NSM213-1109794

制造商

安森美 Onsemi

生命周期状态

Obsolete

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-

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技术规格

基本产品编号NSM213

集电极电流 (Iᴄ)@25°C100mA

集电极截止电流 (Iᴄᴇs)（最大值）500nA

直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V

频率 - 过渡-

生命周期状态Obsolete

制造商onsemi

安装方式Surface Mount

封装/箱体6-TSSOP, SC-88, SOT-363

包装

Tape & Reel (TR)

功率 - 最大230mW

电阻器-基极（R1）47kOhms

电阻器 - 发射极基极（R2）47kOhms

系列-

封装类型（制造商）SC-88/SC70-6/SOT-363

晶体管类型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA

集电极-发射极击穿电压（最大值）50V, 65V

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扩展链接

Datasheets

Environmental Information

PCN Obsolescence/ EOL

多台设备 19/Dec/2008

环境及出口分类

MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装

REACH 法规不含 SVHC

美国 ECCN EAR99

美国协调关税表 8541.21.0095（其他；不适用进口关税）

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