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JANS1N5418US/TR
DIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF

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技术规格
总电容@Vʀ, f-
平均整流正向电流 (Iᴏ)3A
反向漏电流@额定Vʀ1 µA @ 150 V
年级Military
生命周期状态Active
制造商Microchip Technology
安装方式Surface Mount
结温范围-65°C ~ 175°C
封装/箱体SQ-MELF, B
包装
Tape & Reel (TR)
资格MIL-PRF-19500/411
反向恢复时间 (trr)150 ns
系列-
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
封装类型(制造商)B, SQ-MELF
技术Standard
最大直流阻断电压 (Vʀ)400 V
正向电压 (Vғ) @ Iғ1.5 V @ 9 A

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.10.0080(其他;不适用进口关税)
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