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技术规格
基本产品编号APT80GA90
集电极电流 (Iᴄ)@25°C145 A
脉冲集电极电流 (Iᴄᴘ)239 A
栅极电荷200 nC
IGBT类型PT
输入类型Standard
生命周期状态Active
制造商Microchip Technology
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
包装
Tube
功率 - 最大625 W
系列POWER MOS 8®
封装类型（制造商）D3PAK
开关能量1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
关断延迟时间 td(off) @25°C（典型值）18ns/149ns
测试条件600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
集电极至发射极导通电压 (Vᴄᴇ(on))@(Vɢᴇ)(Iᴄ)3.1V @ 15V, 47A
集电极-发射极击穿电压（最大值）900 V
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Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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