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DN2450N8-G
N 沟道 500 V 230 mA (Tj) 1.6 W (Ta) 表面贴装 TO-243AA (SOT-89)

1:¥5.2530

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安博睿电子元件编号
ABR278-DN2450-289154
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技术规格
基本产品编号DN2450
25°C 时的连续漏极电流 (ID)230mA (Tj)
漏源电压 (VDS)500 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))0V
场效应晶体管特性Depletion Mode
场效应晶体管类型N-Channel
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)200 pF @ 25 V
生命周期状态Active
制造商Microchip Technology
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-243AA
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散1.6W (Ta)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻10Ohm @ 300mA, 0V
系列-
封装类型(制造商)TO-243AA (SOT-89)
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)-

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
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