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2N7000-AP
沟道 60 V 220 mA (Ta) 625 mW (Ta) 通孔 TO-92

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安博睿电子元件编号
ABR278-2N7000-1133146
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包装
Tape & Box (TB)
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技术规格
基本产品编号2N7002
25°C 时的连续漏极电流 (ID)220mA (Ta)
漏源电压 (VDS)60 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)60 pF @ 25 V
生命周期状态Obsolete
制造商Micro Commercial Co
安装方式Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C
封装/箱体TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
包装
Tape & Box (TB)
最大功率耗散625mW (Ta)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻5Ohm @ 500mA, 10V
系列-
封装类型(制造商)TO-92
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)3V @ 1mA

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095(其他;不适用进口关税)
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