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SI3134KL3-TP
N 沟道 20 V 750 mA (Ta) 100mW 表面贴装 DFN1006-3

N/A

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安博睿电子元件编号
ABR278-SI3134-8185
生命周期状态
Obsolete
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-
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Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)
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技术规格
基本产品编号SI3134
25°C 时的连续漏极电流 (ID)750mA (Ta)
漏源电压 (VDS)20 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))1.8V, 4.5V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)120 pF @ 16 V
生命周期状态Obsolete
制造商Micro Commercial Co
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体SC-101, SOT-883
包装
Tape & Reel (TR)
最大功率耗散100mW
RDS(on) 漏极至源极导通电阻500mOhm @ 150mA, 4.5V
系列-
封装类型(制造商)DFN1006-3
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±12V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)1.1V @ 250µA

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095(其他;不适用进口关税)
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