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10￥17.8780￥178.7760
100￥12.5810￥1258.1040
500￥10.3170￥5158.6600
1000￥9.5920￥9591.7710
2000￥8.9750￥17950.1070
5000￥8.3150￥41574.0150
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
平均整流正向电流 (Iᴏ)26A
反向漏电流@额定Vʀ30 µA @ 650 V
生命周期状态Active
安装方式Through Hole
结温范围-55°C ~ 175°C
封装/箱体TO-220-2
包装
Tube
反向恢复时间 (trr)0 ns
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
最大直流阻断电压 (Vʀ)650 V
正向电压 (Vғ) @ Iғ1.5 V @ 10 A
总电容@Vʀ, f556pF @ 0V, 1MHz
封装类型（制造商）TO-220N-2L
系列Sanan TO220N
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.10.0080（其他；不适用进口关税）
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别不要求
REACH 法规不含 SVHC
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