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25￥115.8700￥2896.7580
100￥110.0800￥11008.0450
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* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)90A (Tc)
漏源电压 (VDS)1200 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))15V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)155 nC @ 15 V
生命周期状态Active
安装方式Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
封装/箱体TO-247-4
包装
Tube
最大功率耗散400W (Tc)
系列G3R™
封装类型（制造商）TO-247-4
技术SiCFET (Silicon Carbide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±15V
RDS(on) 漏极至源极导通电阻36mOhm @ 50A, 15V
基本产品编号G3R30
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)3901 pF @ 800 V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）2.69V @ 12mA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
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