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MR25H10MDF
MRAM(磁阻 RAM)存储器 IC 1Mbit SPI 40 MHz 8-DFN-EP,小标志 (5x6)

1:¥73.1430

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ABR774-MR25H1-972013
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40¥65.8580¥2634.3270
80¥57.9710¥4637.7160
230¥55.0980¥12672.6010
570¥54.5470¥31091.7040
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号MR25H10
时钟频率40 MHz
年级Automotive
生命周期状态Active
内存格式RAM
内存接口SPI
记忆组织128K x 8
内存大小1Mbit
内存类型Non-Volatile
制造商Everspin Technologies Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 125°C (TA)
封装/箱体8-VDFN Exposed Pad
包装
Tray
参数编程Supported
资格AEC-Q100
系列-
封装类型(制造商)8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
技术MRAM (Magnetoresistive RAM)
电源电压2.7V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)-

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扩展链接
Datasheets
PCN Assembly/Origin
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0071(其他;不适用进口关税)
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